[发明专利]具有与掩埋层接触的导电插塞的光电二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 200410010420.4 | 申请日： | 2004-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1624936A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 裵晟烈;南东均 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/06;H01L31/072;H01L31/075;H01L31/0224;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 制造光电二极管的方法包括在衬底上顺序地形成第一导电类型的掩埋层、第一导电类型的第一外延层和第二导电类型的第二外延层。蚀刻第二和第一外延层以形成暴露部分掩埋层的沟槽。在沟槽中形成第一导电类型的导电插塞。在第二外延层的上表面上形成第一电极。形成第二电极以接触导电插塞的上表面。也提供了具有与掩埋层接触的导电插塞的光电二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掩埋 接触 导电 光电二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造光电二极管的方法，包括：在衬底上顺序地形成第一导电类型的掩埋层、第一导电类型的第一外延层和第二导电类型的第二外延层；蚀刻第二和第一外延层以形成暴露部分掩埋层的沟槽；在沟槽中形成第一导电类型的导电插塞；以及在第二外延层的上表面上形成第一电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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