[发明专利]半导体鳍式元件的接触窗及其制造方法有效
| 申请号： | 200410007241.5 | 申请日： | 2004-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1525530A | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 杨育佳;杨富量;胡正明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王铮 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体鳍式元件的接触窗(Fin DeviceContact)及其制造方法，此半导体鳍式元件的接触窗位于半导体鳍的上表面、两侧壁表面及/或至少一端表面上，而与半导体鳍式元件的源极/漏极之间具有相当大的接触面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 接触 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体鳍式元件的接触窗的制造方法，至少包含：提供一半导体鳍，其中该半导体鳍至少包括一上表面、两个侧壁表面以及至少一末端表面；形成一蚀刻终止层位于该半导体鳍上；形成一保护层覆盖在该蚀刻终止层上；形成一接触洞位于部分的该保护层中，并暴露出该半导体鳍上部分的该蚀刻终止层；移除暴露的该蚀刻终止层；以及于该接触洞中填入一导电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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