[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法有效
| 申请号： | 200410000801.4 | 申请日： | 1998-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1521810A | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | 田边义和;酒井哲;夏秋信义 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/316;H01L21/82;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体集成电路器件的制造方法，包括(a)使用催化剂在第一温度下合成湿气；(b)保持湿气为气体状态，将其供给到晶片上方以形成含有氧气的第一湿氧化气氛；(c)将晶片的第一主表面加热到高于第一温度的第二温度，在第一湿氧化气氛下对晶片的第一主表面的第一硅表面区进行热氧化，形成第一场效应晶体管的第一栅绝缘膜；(d)在步骤(c)之后，在第三温度下使用催化剂来合成湿气；(e)保持步骤(d)中合成的湿气为气态并把它供给到晶片上方，以形成含有氧气的第二湿氧化气氛；(f)通过将第一主表面加热到高于第三温度的第四温度，在第二湿氧化气氛下对第一主表面的第二硅表面区进行热氧化，形成第二场效应晶体管的第二栅绝缘膜，第二绝缘膜的厚度比第一绝缘膜的厚度小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)使用催化剂在第一温度下合成湿气；(b)保持所述湿气为气体状态，并将其供给到晶片上方以形成含有氧气的第一湿氧化气氛；(c)通过将所述晶片的第一主表面加热到高于第一温度的第二温度，在第一湿氧化气氛下对所述晶片的所述第一主表面的第一硅表面区进行热氧化，因此形成第一场效应晶体管的第一栅绝缘膜；(d)在步骤(c)之后，在第三温度下使用催化剂来合成湿气；(e)保持步骤(d)中合成的湿气为气态并把它供给到所述晶片上方，以形成含有氧气的第二湿氧化气氛；(f)通过将所述第一主表面加热到高于所述第三温度的第四温度，在所述第二湿氧化气氛下对所述晶片的所述第一主表面的第二硅表面区进行热氧化，因此形成第二场效应晶体管的第二栅绝缘膜，所述第二绝缘膜的厚度比第一绝缘膜的厚度小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
