[发明专利]磷化硼系半导体发光元件、其制造方法和发光二极管无效
| 申请号： | 200380103515.4 | 申请日： | 2003-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1711650A | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | 宇田川隆;笠原明 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/205;C23C16/30 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种磷化硼系半导体发光元件，其具备异种接合结构的发光部，该发光部是在导电性或者高电阻的单晶体基板的表面上依次具备由n型化合物半导体构成的n型下部包层、由n型的III族氮化物半导体构成的n型发光层、以及由设置在该发光层上的p型的磷化硼系半导体构成的p型上部包层而构成，且该磷化硼系半导体发光元件形成有与该p型上部包层接触的p型电极而构成，其特征在于，由磷化硼系半导体构成的非晶态层设置在p型上部包层和n型发光层中间。该磷化硼系半导体发光元件，正向电压或者阀值低，逆向电压优良。 | ||
| 搜索关键词： | 磷化 半导体 发光 元件 制造 方法 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种磷化硼系半导体发光元件，其具备异种接合结构的发光部，该发光部是在导电性或者高电阻的单晶体基板的表面上依次具备由n型化合物半导体构成的n型下部包层、由n型的III族氮化物半导体构成的n型发光层、以及由设置在该发光层上的p型的磷化硼系半导体构成的p型上部包层而构成，且该磷化硼系半导体发光元件形成有与该p型上部包层接触的p型电极而构成，其特征在于，由磷化硼系半导体构成的非晶态层设置在p型上部包层和n型发光层中间。
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