[发明专利]具有分离栅极的双栅极半导体装置有效
| 申请号： | 200380102759.0 | 申请日： | 2003-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN1711644A | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | S·S·艾哈迈德;H·王;B·俞 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一半导体装置(100)，其包括一基板(110)以及形成于该基板(110)上的一绝缘层(120)；一鳍部(210)可形成于该绝缘层上(120)，并包括多个侧表面与一上表面；一第一栅极(410)可形成于邻近该鳍部(210)的多个侧表面其中之一的绝缘层(120)上；一第二栅极(420)可形成在绝缘层(120)上，其与第一栅极(410)隔开并且邻近该鳍部(210)的多个侧表面的另一侧表面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分离 栅极 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置(100)，其包括：一基板(110)；一绝缘层(120)，其形成于该基板(110)上；一鳍部(210)，其形成于该绝缘层(120)上，并且包括多个侧表面与一上表面；一第一栅极(410)，其形成于该绝缘层(120)上并邻近于该鳍部(210)的多个侧表面的其中之一；以及一第二栅极(420)，其形成于该绝缘层(120)上并与第一栅极(410)隔开且邻近该鳍部(210)的多个侧表面的另一侧表面。
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