[发明专利]半导体存储装置

摘要

在存储i位数据的存储单元1中存储下一个数据时，事先在邻接的存储单元1中写入i位以下的数据。i位以下数据的写入比本来的阈值电压(存储i位数据时的实际阈值电压)低。写入邻接的存储单元2之后，提升存储单元1的阈值电压进行写入。在提升阈值电压进行写入前后，i位数据或是本来的阈值电压，或是比它低的阈值电压。为了加以区别，准备标志用的存储单元(标志单元)，进行对应该标志单元的数据的读出操作。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于，具有：存储单元阵列，由用于存储n值(n是2以上的自然数)的多个存储单元配置成矩阵状；写入电路，用于在存储有上述存储单元阵列的j值(j＜n)的数据的第一存储单元中，在存储下一个至少1值的数据之前，将j值以下的数据写入与上述第一存储单元邻接的至少一个存储单元中。