[发明专利]半导体制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体制造方法，结合一阻断层的工艺于半导体的前段工艺中。其中，阻断层可直接形成于微透镜的曲面上，或先形成于一保护层于微透镜上，之后再覆盖一阻断层于保护层的表面上。因此，最后所形成的光感测模块其体积可达到最小化，并且可使封装工艺一贯作业，故可节省封装的时间与成本，更可避免切割所造成的微粒污染。

主权项

1.一种半导体制造方法，至少包括：提供一晶片，该晶片至少具有一有源元件以及一光二极管阵列，分别位于该晶片上，且该晶片上具有一金属内连线层，分别与该有源元件以及该光二极管阵列相电连接，而该金属内连线层具有多个焊接垫，位于最外层的该金属内连线层的表面上，且该晶片还具有一照光区域，位于该光二极管阵列的上方；形成至少一微透镜于该晶片的该照光区域上；以及形成一阻断层于该微透镜之上。