[发明专利]纳米结构、纳米复合物基的组合物及光生伏打装置有效
申请号: | 03824102.1 | 申请日: | 2003-09-04 |
公开(公告)号: | CN1777998A | 公开(公告)日: | 2006-05-24 |
发明(设计)人: | 艾立克·雪尔;米海A·布勒堤;凯文·邱;史帝芬·艾姆皮朵克里斯;安德烈·麦瑟;J·瓦勒斯·帕司 | 申请(专利权)人: | 奈米系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0256 | 分类号: | H01L31/0256;H01L31/0272;H01L31/0296;H01L31/0352;H01L31/036;H01L31/04 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 张宜红 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种纳米复合物光生伏打装置,其总地包括作为至少一部分光活性层的半导体纳米晶体。本发明的特征也在于包含芯-壳纳米结构和/或两种纳米结构族群的光生伏打装置和其他层状装置,其中的纳米结构不必是纳米复合物的部分。本发明也提供此类装置的各种不同结构体,包括挠性和硬性的结构体、平面及非平面的结构体及类似结构,和结合有此类装置的系统;本发明还提供制造该装置的方法及用于制造该装置的系统。本发明的特征还在于:包含材料不同的两种纳米结构族群的组合物。 | ||
搜索关键词: | 纳米 结构 复合物 组合 光生伏打 装置 | ||
【主权项】:
1.一种光生伏打装置,包含:第一电极层;第二电极层;以及第一光活性层,其是设置在该第一电极层及该第二电极层之间,其中该光活性层系设置在具有沿着第一平面的第一电极的至少部分电接触点中,以及在具有沿着第二平面的第二电极的至少部分电接触点中,以及其中该光活性层包含呈现第II型带偏移能量分布的材料,以及包括第一纳米结构的族群(例如纳米晶体),其各自具有至少一延长部分,该延长部分的定向以与至少第一平面垂直为主。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奈米系统股份有限公司,未经奈米系统股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03824102.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型低压储液罐
- 下一篇:热塑性弹性体组合物成型品及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的