[发明专利]氮化钨的汽相沉积

摘要

通过二(烷基亚氨基)二(二烷基氨基)钨的蒸汽和路易斯碱或氢等离子体反应在基材上沉积氮化钨薄膜。例如，二(叔丁基亚氨基)二(二甲基氨基)钨的蒸汽和氨气以交替的剂量提供到加热至300℃的表面，产生的氮化钨涂层具有非常均匀的厚度和在长径比高达至少40∶1的孔穴中具有极好的阶梯覆盖。所述薄膜是金属的并且是好导电体。在微电子器件中合适的应用包括铜扩散的阻挡层和用于电容的电极。相似的方法沉积氮化钼，其适用于在X射线镜面中和硅交替的层。

主权项

1.一种通过包括一个或多个循环的连续步骤在基材表面上沉积薄膜的方法，其中至少一个循环包括：将基材暴露在第一种材料的蒸汽下，所述第一种材料含有薄膜的至少两种元素，其中第一种材料的蒸汽的至少一部分通过自限法吸附在基材的表面上；从基材附近除去第一种材料的未吸附的蒸汽；将所述基材暴露在第二种材料的蒸汽下，所述第二种材料的蒸汽活化所述表面，使得所述表面准备好与额外量的所述第一种材料反应，所述活化的特征在于第二种材料的元素不结合进入所述薄膜；和从基材附近除去第二种材料的残余蒸汽。