[发明专利]包含集成格状电容器结构的半导体组件无效
| 申请号： | 03808637.9 | 申请日： | 2003-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN1647274A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | N·达达尔特 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02;H01L23/498;H01L23/538;H01G4/012 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种绝缘层，被制造于具有一电容器结构(K)之半导体基板上。该电容器结构(K)具有至少一第一子结构(T1a)，其具有一金属格状区域(G1a至G1c)及被安置于该格状区域(G1a至G1c)中的截断之中的电导区域(P1a至P1c)，该格状区域(G1a至G1c)乃电连接至第一连接线路，而该电导区域(P1a至P1c)被电连接至一第二连接线路。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 集成 格状 电容器 结构 半导体 组件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体组件，具有一半导体基板、被制造于该半导体基板上之一绝缘层，及具有被制造于该绝缘层中之电容器结构(K)，其特征在于-该电容器结构(K)具有一第一子结构(T1a)，其具有本质上与平行该基板表面之一平面(M1)平行且电连接至一第一连接线路之一聚合格状金属区域(G1a)，及-该第一子结构系具有电导区域(P1a；KN)，其以距该平面(M1)中之截断边缘区域一距离的形式被安置于该第一子结构(T1a)之该格状区域(G1a)中的截断中，且该电导区域(P1a；KN)乃电连接至一第二连接线路。
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