[发明专利]薄膜、具有薄膜的结构以及形成薄膜的方法无效
| 申请号： | 03806916.4 | 申请日： | 2003-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1643683A | 公开（公告）日： | 2005-07-20 |
| 发明（设计）人： | E·H·李;M·E·托马斯 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/44 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹雪梅;王景朝 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新的含钛材料，其可被用来形成用于铜的钛合金阻挡层。在一种含氮溅射气氛中可反应性溅射钛合金溅射靶以形成钛合金氮化物膜，或者作为选择，在一种含氮和含氧气氛中形成钛合金氧氮薄膜。根据本发明形成的薄膜可包括非柱状晶粒结构、低电阻率、高化学稳定性以及可与TaN相比或比其优越的阻挡性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 具有 结构 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含Zr和N的薄膜，所述薄膜的至少一部分具有非柱状晶粒结构。
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