[发明专利]半导体集成电路装置

摘要

在一种半导体集成电路装置中，n沟道晶体管区域在焊盘侧具有区域A，并在内部电路侧具有区域B，其中，在信号线和电源线之间并联连接多个保护元件。各保护元件均具有电阻器。区域A中的电阻器的电阻被设定成比区域B中的电阻器的电阻大一个值，该值相当于在区域A中包括的信号线的寄生电阻，这样，区域A和区域B中的保护元件的电阻彼此相同或者几乎相同。p沟道晶体管区域的构成与n沟道晶体管区域的构成相同。

主权项

1.一种半导体集成电路装置，该半导体集成电路装置包括：保护电路，其包括：多个保护元件，其在信号线和电源线之间并联连接，各保护元件包括：多个金属氧化物半导体(MOS)晶体管；以及多个电阻器，其中，在各保护元件中，MOS晶体管的漏极与用于通过电阻器使焊盘和内部电路之间建立连接的信号线连接，并且MOS晶体管的源极与电源线连接；其中，各保护元件内的电阻器的电阻从焊盘向内部电路逐渐减少。