[发明专利]半导体晶片及其制造方法无效
| 申请号： | 03152291.2 | 申请日： | 2003-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1497669A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 岩松俊明;前田茂伸 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/786;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供可使MOS晶体管的电流驱动力充分提高的半导体晶片及其制造方法。在构成SOI层(32)的形成基体的SOI层用晶片上形成结晶方位<100>的切口(32a)和结晶方位<110>的切口(32b)，在切口(32a)和支持基板侧晶片1的结晶方位SOI层用晶片上再形成切口32b，在一边把切口32a和切口1a用于位置对合、一边进行两晶片贴合时，将切口32b嵌合于半导体晶片制造装置的导向部分上，可以防止因晶片间的转动产生的位置偏移。这样一来，使两晶片中的结晶方位不同，从而可以在半导体晶片上形成使电流驱动力充分提高的MOS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片，其中设有：在结晶方位的方向的边缘部分形成多个切口(32a、32b)的第一半导体晶片(320)，以及在结晶方位的方向的边缘部分形成切口(1a)的第二半导体晶片(1)；所述第一半导体晶片的所述多个切口中的一个(32a)与所述第二半导体晶片的所述切口(1a)开在不同的结晶方位上；在所述第一半导体晶片的所述多个切口中的所述一个(32a)与所述第二半导体晶片的所述切口(1a)相互一致对准的状态下，所述第一和第二半导体晶片相贴合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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