[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 03142424.4 | 申请日： | 2003-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1467837A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 渡邉健一;河野通有 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L23/58;H01L21/768;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体器件及其制造方法。在半导体衬底上形成接触图形之后，在接触图形上形成由第一阻挡金属膜和第一导体图形构成的第一布线图形。形成具有这种结构的防潮环：在上端部分第一阻挡金属膜的外围部分与第二阻挡金属膜的阻挡金属底面部分接触，其中第一阻挡金属膜的外围部分覆盖第一导体图形外围侧上的侧壁面，第二阻挡金属膜的阻挡金属底面部分覆盖通孔接触部分的底面。这导致在从半导体衬底到作为最上层的氧化硅膜的整个区域中无间断地形成例如Ta、TiN等阻挡金属膜，由此提高了用于防止破裂和湿气进入的粘附性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；和包括以下部分的布线结构：在所述半导体衬底上形成的第一层间绝缘膜；在所述第一层间绝缘膜中形成的第一导体图形；至少覆盖所述第一导体图形的侧面、在所述第一层间绝缘膜和所述第一导体图形之间形成的第一阻挡金属膜；在所述第一层间绝缘膜上形成的第二层间绝缘膜；在所述第一图形上方形成的第二导体图形，在它们中间插入所述第二层间绝缘膜；把所述第一导体图形连接到所述第二导体图形、在所述第二层间绝缘膜中形成的通孔接触部分；和被形成为覆盖所述通孔接触部分的侧面和底面的第二阻挡金属膜，其中所述布线结构被形成为连续地延伸，使得覆盖所述通孔接触部分底面的所述第二阻挡金属膜的底面部分与所述第一阻挡金属膜的上端部分的至少一部分接触。
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