[发明专利]半导体衬底及其制造方法，以及半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 03138159.6 | 申请日： | 2003-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN1485927A | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 高桥英树;金田充 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/744 | 分类号： | H01L29/744;H01L21/332 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是，获得能够保持双向耐压，并且可靠性高的半导体器件及其制造方法，以及半导体衬底及其制造方法。N－型硅衬底1具有互相相向的底面和上表面。借助于P型杂质的扩散，在N－型硅衬底1的底面内全面地形成高浓度的P型杂质扩散层3。另外，借助于P型杂质的扩散，在N－型硅衬底1的上表面内局部地形成P型隔离区2。P型隔离区2具有抵达P型杂质扩散层3的上表面的底面。另外，当从N－型硅衬底1的上表面一侧观察时，P型隔离区2包围作为N－型硅衬底1的一部分的N－区1a而形成。然后，被P型隔离区2包围的上述N－区1a被规定为N－型硅衬底1的元件形成区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 及其 制造 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体衬底，其特征在于：包含：具有互相相向的第1主表面和第2主表面的第1导电类型的衬底(1)；借助于杂质扩散在上述第1主表面内形成的、与上述第1导电类型不同的第2导电类型的杂质扩散层(3)；以及借助于杂质扩散在上述第2主表面内局部地形成的、具有抵达上述杂质扩散层的底面、从平面上看包围上述衬底的上述第1导电类型的一部分的上述第2导电类型的杂质扩散区(2)，被上述杂质扩散区包围的部分被规定为元件形成区。
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