[发明专利]具有开口部的半导体装置的制造方法

摘要

在层间绝缘膜上形成2段阶梯形开口部时，在用防反射膜的情况下，可以得到能够防止可靠性降低的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法具有在防反射膜上所定区域上形成第1防蚀图形的工序、以第1防蚀图形作为掩模，在层间绝缘膜上形成第1开口部的工序、留下防反射膜而除去第1防蚀图形后，在防反射膜上的所定区域内，形成第2防蚀图形的工序、以第2防蚀图形作为掩模，至少在第1开口部的上部，形成比第1开口部开口面积大的第2开口部的工序。

主权项

1.半导体装置的制造方法，它具有在层间绝缘膜上形成防反射膜的工序；在上述防反射膜上的所定区域形成第1防蚀图形的工序；以上述第1防蚀图形作为掩模，蚀刻上述层间绝缘膜而在上述层间绝缘膜上形成第1开口部的工序；留下上述防反射膜而除去上述第1防蚀图形后，在上述防反射膜上所定区域形成第2防蚀图形的工序；以上述的第2防蚀图形作为掩模，通过蚀刻上述层间绝缘膜，在上述的第1开口部的至少上部，形成开口面积比上述第1开口部大的第2开口部的工序。