[发明专利]半导体感光元件及其制造方法

摘要

本发明的半导体感光元件(1)，在半绝缘性GaAs衬底(2)的上表面部形成有高度不同的3个台阶的平整面。而且，半绝缘性GaAs衬底(2)的中央部所形成的下台阶面的上面依次层积有n型GaAs层(3)、i型GaAs层(4)和p型GaAs层(5)。此外，还在p型GaAs层(5)和半绝缘性GaAs衬底(2)的上台阶面所形成的平整面上跨设有p侧电阻性电极(6)，而n型GaAs层(3)和半绝缘性GaAs衬底(2)的中台阶面所形成的平整面上则跨设有n侧电阻性电极(7)。

主权项

1.一种半导体感光元件，其特征在于，具备：半绝缘性衬底，在上表面部具有各个高度不同的上台阶面、中台阶面、下台阶面，所述下台阶面处于所述上台阶面和所述中台阶面之间的位置；在所述下台阶面正上方形成、含有第一杂质的第一半导体层，具有：形成为与所述中台阶面同等高度的平整面形状的第一上表面部及与该第一上表面部同等高度或更高高度的第二上表面部；在所述第一半导体层的第二上表面部的上面形成、含有第二杂质的第二半导体层，具有形成为与所述上台阶面同等高度的平整面形状的上表面部；在所述第一半导体层的第一上表面部和所述半绝缘性衬底的中台阶面的上面跨两者设置的第一电极；以及在所述第二半导体层的上表面部和所述半绝缘性衬底的上台阶面的上面跨两者设置的第二电极。