[发明专利]电抛光具有带虚设结构的沟槽或者通路的晶片上的金属层有效

申请号：	02808834.4	申请日：	2002-04-04
公开（公告）号：	CN1663036A	公开（公告）日：	2005-08-31
发明（设计）人：	王晖;易培豪	申请（专利权）人：	ACM研究公司
主分类号：	H01L21/4763	分类号：	H01L21/4763;H01L23/48;C25D5/02
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人：	李强
地址：	美国加***	国省代码：	美国;US
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摘要：	在电抛光半导体晶片上的金属层中，在半导体晶片(未示出)上形成电介质(100)。该电介质(100)形成有凹进区(102)和非凹进区(103)。多个虚设结构(200)是构成的非活动区，以便增加后来形成在电介质(100)上的金属层(106)的平整度。然后形成金属层(106)以便填充凹进区(102)并且覆盖非凹进区(103)和多个虚设结构(200)。然后电抛光该金属层(106)以便露出非凹进区(102)。
搜索关键词：	电抛光具有虚设结构沟槽或者通路晶片金属
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【主权项】：

1.一种电抛光半导体晶片上的金属层的方法，包括：在半导体晶片上形成一个电介质，其中该电介质形成有凹进区和非凹进区；在凹进区内形成多个虚设结构，其中构成的虚设结构是用于增加接着形成在电介质上的金属层的平整度的非活动区；形成一个金属层以便填充凹进区并且覆盖所述非凹进区和所述多个虚设结构；和电抛光所述金属层以便露出所述非凹进区。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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