[发明专利]用作气相反应器清洗、蚀刻及掺杂气体的全氟酮无效
| 申请号： | 02808782.8 | 申请日： | 2002-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN1505694A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | S·克萨里;F·E·比尔;M·G·柯斯特洛;R·M·弗林;R·M·明达耶;J·G·欧文斯;D·R·维塔克 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;H01L21/311;C23F4/00;H01L21/316;C23C14/56 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 周承泽 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明说明了使用含有全氟酮的活性气体除去气相反应器中积累的不需要的沉积物、蚀刻气相反应器中的介电及金属材料以及在气相反应器中掺杂材料的方法，其中全氟酮中含有4至7个碳原子。全氟酮的性能与半导体行业中使用的标准全氟烃相当或更佳，但对全球变暖造成的影响极小。 | ||
| 搜索关键词： | 用作 相反 清洗 蚀刻 掺杂 气体 全氟酮 | ||
【主权项】：
1.一种除去气相反应器上的沉积物的方法，所述方法包括将所述沉积物与含有全氟酮的活性气体接触，所述全氟酮含有4至7个碳原子。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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