[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 02808393.8 | 申请日： | 2002-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN1533609A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | 井上彰;高木刚;原义博;久保实 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，倾斜SiGe－HDTMOS的半导体层(30)，由上部Si膜(12)、Si缓冲层(13)、Si1－xGex膜(14)以及Si罩层(15)所构成。在半导体层(30)中的源区域(20a)和漏区域(20b)之间的区域设置高浓度的n型本体区域(22)、n－－Si区域(23)、Si罩区域(25)、SiGe沟道区域(24)。Si1－xGex膜(14)的Ge组成比x，成为从Si缓冲层(13)向Si罩层(15)增大的组成。在p型HDTMOS中，可以减少衬底电流中的电子电流成分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于：包括：至少包含第1半导体膜、和与所述第1半导体膜的带隙不同的、从邻接上述第1半导体膜的部位开始向远离第1半导体膜的方向使带隙减小那样构成的第2半导体膜、的半导体层；在所述半导体层上设置的栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上设置的栅电极；在所述半导体层中位于所述栅电极两侧的区域中导入了第1导电型杂质所形成的源·漏区域；在所述第2半导体膜中位于所述源·漏区域之间的区域中导入了第2导电性杂质所形成的沟道区域；在所述第2半导体膜中位于所述源·漏区域之间的区域中导入了比所述沟道区域的浓度高的第2导电性杂质所形成的本体区域；以及将所述栅电极与所述本体区域电连接的导体部件。
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