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- [发明专利]极化调制装置及通信设备-CN200980153245.5无效
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原义博
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松下电器产业株式会社
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2009-11-20
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2011-12-07
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H03F1/02
- 本发明提供一种对功率放大器的输出特性进行补偿的极化调制装置。数据生成器(11)从基带信号生成振幅分量信号和相位分量信号；相位调制器(12)生成对相位分量信号实施了相位调制的相位调制信号；加法器(16)将振幅偏移电压加到振幅分量信号；功率放大器(13)包括第1异质结双极晶体管，并通过振幅分量信号来放大相位调制信号；监视部(14)监视功率放大器(13)，并输出监视电压；控制部(15)计算与监视电压相应的振幅偏移电压，并输出到加法器(16)；监视部(14)包括第2异质结双极晶体管，并将该第2异质结双极晶体管的集电极-发射极间电压作为监视电压输出。
- 极化调制装置通信设备
- [发明专利]发送电路及通信设备-CN200710143718.6有效
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原义博;森冈胜彦;石田薰
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松下电器产业株式会社
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2007-08-02
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2008-02-06
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H04B1/04
- 提供了一种发送电路1，其能够精确地补偿幅度调制部分15的偏移特性，并且能够在较宽的输出电功率范围上低失真且高效率地工作。信号生成部分11输出幅度信号和角度调制信号。幅度放大部分14将与已输入的幅度信号的幅值相对应的信号输入到幅度调制部分15。幅度调制部分15利用从幅度放大部分14输入的信号来对角度调制信号进行幅度调制，并且将所产生的信号输出作为调制信号。功率测量部分18测量幅度调制部分15的输出功率。偏移补偿部分12根据幅度调制部分15的输出功率，从存储器13中读取偏移补偿值，并且将所读取的偏移补偿值累加到所述幅度信号。
- 发送电路通信设备
- [发明专利]半导体装置-CN02808393.8无效
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井上彰;高木刚;原义博;久保实
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松下电器产业株式会社
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2002-04-18
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2004-09-29
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H01L29/78
- 一种半导体装置，倾斜SiGe－HDTMOS的半导体层(30)，由上部Si膜(12)、Si缓冲层(13)、Si1－xGex膜(14)以及Si罩层(15)所构成。在半导体层(30)中的源区域(20a)和漏区域(20b)之间的区域设置高浓度的n型本体区域(22)、n－－Si区域(23)、Si罩区域(25)、SiGe沟道区域(24)。Si1－xGex膜(14)的Ge组成比x，成为从Si缓冲层(13)向Si罩层(15)增大的组成。在p型HDTMOS中，可以减少衬底电流中的电子电流成分。
- 半导体装置
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