[发明专利]半导体制造装置以及半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 02803384.1 | 申请日： | 2002-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1537322A | 公开（公告）日： | 2004-10-13 |
| 发明（设计）人： | 佐喜和郎;牛久幸広 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种在多处理装置(10)中连续执行氧化和CVD的半导体制造装置包括：内部装置控制器单元(20)，其选择处理的类型，并且把用于一个处理的启动信号和停止信号提供到该多处理装置(10)；以及处理控制器(30)，其根据该装置的内部信息计算用于每个处理的处理状态。在接收到来自控制器(30)的停止信号之后，该控制器(20)把该停止信号发送到多处理装置(10)，以停止由该多处理装置(10)所进行的当前处理，并且切换到下一个处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 以及 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造装置，其特征在于包括：处理装置主体，其在单个腔体内连续执行与半导体器件的制造相关的多个处理；装置控制器单元，其选择要在该处理装置中执行的一种处理，并且把启动一个处理的启动信号和停止该处理的停止信号提供到该处理装置主体；第一端子，其把该处理装置主体的内部信息输出到外部；第二端子，其把该启动信号从该装置控制器部分输出到外部；以及第三端子，其接收来自第二端子的启动信号，并且根据通过基于该装置的内部信息计算用于当前处理的处理状态所获得的结果而把该停止信号输入到该装置控制器单元，其中在通过第三端子接收该停止信号之后，该装置控制器单元把该停止信号发送到该处理装置主体，停止由该处理装置主体所进行的当前处理，并且切换到下一个处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
