[发明专利]半导体组件的护层结构及其形成方法有效
| 申请号： | 02143244.9 | 申请日： | 2002-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1485921A | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 陈荣杰;卢成建;陈怡月;李东达 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体组件的护层结构及其形成方法，包含一高紫外透明氮化硅层。此高紫外透明氮化硅层共形覆盖于数条形成于一半导体基底上的顶部金属线，以使凹洞被定义于邻近的顶部金属线之间。然后，在凹洞中填有旋涂式玻璃材料。接着，在高紫外透明氮化硅层以及旋涂式玻璃材料上有一层厚度在约8000埃到10000埃间的氮氧化硅层。而且，有描述了形成此一护层结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体组件的护层结构，适于形成于一半导体组件中，其特征在于：包括：复数条顶部金属线，位于一基底上；一高紫外透明氮化硅层，共形于该些顶部金属线，以使部分该高紫外透明氮化硅层的顶表面定义邻近该些顶部金属线之间成为复数个凹洞；一旋涂式玻璃材料，位于用以定义该些凹洞的部分该高紫外透明氮化硅层的一顶表面上；以及一氮氧化硅层，位于该高紫外透明氮化硅层以及该旋涂式玻璃材料上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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