[发明专利]氮化物半导体的制造方法及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 02140341.4 | 申请日： | 2002-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1395322A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | 松本治;安斋信一;喜嶋悟 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 栾本生,梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种氮化物半导体的制造方法，包括以下步骤形成掺有p型杂质的氮化物半导体；氧化氮化物半导体的表面，在其上形成氧化膜；以及激活p型杂质，将氮化物半导体的导电类型转变为p型。由于除去了留在氮化物半导体表面上的碳和其上形成的氧化膜，因此可以防止由于激活处理氮化物半导体的表面退化，并且增加了p型杂质的激活速率。由此，可以减小氮化物半导体与电极的接触电阻，由此减小了氮化物半导体的特性变化。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体的制造方法，包括以下步骤：形成掺有p型杂质的氮化物半导体；氧化所述氮化物半导体的表面，在其上形成氧化膜；以及激活p型杂质，将所述氮化物半导体的导电类型转变为p型。
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