[发明专利]氮化物半导体的制造方法及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 02140341.4 | 申请日： | 2002-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1395322A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | 松本治;安斋信一;喜嶋悟 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 栾本生,梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 制造 方法 半导体器件 | ||
1.一种氮化物半导体的制造方法，包括以下步骤：
形成掺有p型杂质的氮化物半导体；
氧化所述氮化物半导体的表面，在其上形成氧化膜；以及
激活p型杂质，将所述氮化物半导体的导电类型转变为p型。
2.根据权利要求1的氮化物半导体的制造方法，其中氧化膜的厚度在5nm以下的范围。
3.根据权利要求1的氮化物半导体的制造方法，还包括激活p型杂质之后除去氧化膜的步骤。
4.根据权利要求1的氮化物半导体的制造方法，还包括形成所述氮化物半导体之后和在所述氮化物半导体的表面上形成氧化膜之前用有机溶剂清洗所述氮化物半导体表面的步骤。
5.一种氮化物半导体的制造方法，包括以下步骤：
形成掺有p型杂质的氮化物半导体；
在含有活性氧的气氛中处理所述氮化物半导体的表面；以及
激活p型杂质，将所述氮化物半导体的导电类型转变为p型。
6.根据权利要求5的氮化物半导体的制造方法，还包括激活p型杂质之后用酸和碱中的至少一种处理所述氮化物半导体表面的步骤。
7.根据权利要求5的氮化物半导体的制造方法，还包括形成所述氮化物半导体之后和在含活性氧的气氛中处理所述氮化物半导体表面之前用有机溶剂清洗所述氮化物半导体表面的步骤。
8.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：
生长掺有p型杂质的氮化物半导体层；
氧化所述氮化物半导体层的表面，在其上形成氧化膜；以及
激活p型杂质，将所述氮化物半导体层的导电类型转变为p型。
9.根据权利要求8的半导体器件的制造方法，其中氧化膜的厚度在5nm以下的范围。
10.根据权利要求8的半导体器件的制造方法，还包括激活p型杂质之后除去氧化膜的步骤。
11.根据权利要求10的半导体器件的制造方法，还包括除去氧化膜之后在所述p型氮化物半导体层上形成电极。
12.根据权利要求8的半导体器件的制造方法，还包括生长所述氮化物半导体层之后和在所述氮化物半导体层的表面上形成氧化膜之前，用有机溶剂清洗所述氮化物半导体层表面的步骤。
13.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：
生长掺有p型杂质的氮化物半导体层；
在含有活性氧的气氛中处理所述氮化物半导体层的表面；以及
激活p型杂质，将所述氮化物半导体层的导电类型转变为p型。
14. 根据权利要求13的半导体器件的制造方法，还包括激活p型杂质之后用酸和碱中的至少一种处理所述氮化物半导体层表面的步骤。
15.根据权利要求14的半导体器件的制造方法，还包括用酸和碱中的至少一种处理所述氮化物半导体表面之后，在所述p型氮化物半导体层上形成电极的步骤。
16.根据权利要求13的半导体器件的制造方法，还包括生长所述氮化物半导体层之后和在含有活性氧的气氛中处理所述氮化物半导体层的表面之前，用有机溶剂清洗所述氮化物半导体层表面的步骤。
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