[发明专利]静电放电保护装置及其制造方法有效
| 申请号： | 02136844.9 | 申请日： | 2002-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN1481022A | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | 俞大立 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L21/77 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种静电放电保护装置的制造方法，包括以下步骤,提供一基底,在该基底中形成一井区,在该井区中形成一掺杂区,在该井区上方形成一栅极以及于该栅极两侧的该井区中形成一源极区及一与该掺杂区邻接的漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电保护装置的制造方法，包括以下步骤：提供一基底；在该基底中形成一井区；在该井区中形成一掺杂区；以及在该井区上方形成一栅极以及于该栅极两侧的该井区中形成一源极区及一与该掺杂区邻接的漏极漏极区。
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