[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 02127169.0 | 申请日： | 2002-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1400659A | 公开（公告）日： | 2003-03-05 |
| 发明（设计）人： | 渡邉桂;西山幸男 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L23/522;H01L21/768;H01L21/316;H01L21/314 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，具备半导体衬底；设置在上述半导体衬底上边的层间绝缘膜；使得其表面在与上述层间绝缘膜的表面大体上为一个面上露出来那样地埋入到上述层间绝缘膜内的第1金属布线；在上述层间绝缘膜和上述第1金属布线上边形成，防止构成上述第1金属布线的金属的扩散的扩散防止膜；设置在上述扩散防止膜上边的掺氮氧化硅膜；设置在上述掺氮氧化硅膜上边的掺氟氧化硅膜；使得其表面在与上述掺氟氧化硅膜的表面大体上为一个面上露出来那样地埋入到上述掺氟氧化硅膜内，与上述第1金属布线电连的第2金属布线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具备：半导体衬底；设置在上述半导体衬底上边的层间绝缘膜；埋入到上述层间绝缘膜内的第1金属布线，其表面在与上述层间绝缘膜的表面大体上为一个面上露出；在上述层间绝缘膜和上述第1金属布线上边形成，防止构成上述第1金属布线的金属的扩散的扩散防止膜；设置在上述扩散防止膜上边的掺氮氧化硅膜；设置在上述掺氮氧化硅膜上边的掺氟氧化硅膜；埋入到上述掺氟氧化硅膜内且与上述第1金属布线电连的第2金属布线，其表面在与上述掺氟氧化硅膜的表面大体上为一个面上露出。
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