[发明专利]非易失性半导体存储装置无效
申请号: | 02126537.2 | 申请日: | 2002-07-23 |
公开(公告)号: | CN1399345A | 公开(公告)日: | 2003-02-26 |
发明(设计)人: | 龟井辉彦 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/112 | 分类号: | H01L27/112;H01L21/8247 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 具有把具有由一个字栅和第一、第二控制栅控制的第一、第二非易失性存储元件的存储单元排列多个而构成的存储单元阵列领域。当从所述第一、第二非易失性存储元件的一方读出数据时,外加了超越控制电压的控制栅线上连接的控制栅线选择开关元件的控制电压比外加了读出电压的子控制栅线上连接的控制栅线选择开关元件的控制电压大。 | ||
搜索关键词: | 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
1.一种非易失性半导体存储装置,其特征在于:具有:把具有由一个字栅和第一、第二控制栅控制的第一、第二非易失性存储元件的存储单元在彼此交叉的第一和第二方向上排列多个而构成的存储单元阵列领域;分别设置在把所述存储单元阵列领域分割了的多个块领域上,并且与所述存储单元的所述第一、第二非易失性存储元件相连,沿着所述第一方向延伸的多条子控制栅线;跨着沿所述第一方向配置的所述块领域延伸形成,并且与沿着第一方向配置的所述块领域内的所述多条子控制栅线分别公共连接的多条主控制栅线;配置在所述多条主控制栅线和所述多条子控制栅线的公共连接处,根据控制电压,选择连接/不连接的多个控制栅线选择开关元件;向所述多个控制栅线选择开关元件提供所述控制电压的控制栅线选择驱动器;所述多个子控制栅线分别与在所述第二方向上相邻的一方的所述存储单元的所述第一控制栅、另一方的所述存储单元的所述第二控制栅相连;所述多个控制栅线选择开关元件由在所述多个子控制栅线中的在所述第二方向上隔着一根配置的一半子控制栅线上连接的第一控制栅线选择开关元件群和在剩下的一半子控制栅线上连接的第二控制栅线选择开关元件群构成;所述控制栅线选择驱动器具有:为所述第一控制栅线选择开关元件群提供第一控制电压的第一控制栅线选择驱动器和为所述第二控制栅线选择开关元件群提供第二控制电压的第二控制栅线选择驱动器;在从所述存储单元的所述第一、第二非易失性存储元件的一方读出数据时,当在外加了超越控制电压的子控制栅线上连接的控制栅线选择开关元件包含在所述第一控制栅线选择开关元件群中时,所述第一控制栅线选择驱动器向所述第一控制栅线选择开关元件群提供比所述第二控制电压高的所述第一控制电压;在从所述存储单元的所述第一、第二非易失性存储元件的另一方读出数据时,当在外加了超越控制电压的子控制栅线上连接的控制栅线选择开关元件包含在所述第二控制栅线选择开关元件群中时,所述第二控制栅线选择驱动器向所述第二控制栅线选择开关元件群提供比所述第一控制电压高的所述第二控制电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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