[发明专利]利用碳纳米管制作的随机存储器及制备方法

摘要

本发明涉及一种碳纳米管随机存储器，包括以Si作为衬底，该衬底上有SiO₂绝缘层、碳纳米管、栅极和电极；栅极位于Si衬底上SiO₂绝缘层中的一条沟槽之中，其内沉积Al及经表面氧化形成的Al₂O₃绝缘层，栅极并与一电阻相连接，该电阻与恒压源相连接；电极平行于栅极，并在栅极两侧设置碳纳米管之上或之下，其中第一电极接地，第二电极与开关相连接，同时栅极与第二电极在衬底上短路相连；一根碳纳米管垂直于栅极和两个独立的电极，平直放置在SiO₂绝缘层的表面上，并与Al₂O₃绝缘层表面和电极表面相接触。利用栅极控制碳纳米管截止或导通状态，并且保持碳纳米管的这种状态，从而实现了容量为1bit的信息存储。本发明结构简单，且易于制作和集成。

主权项

1.一种利用碳纳米管制作的随机存储器，包括以Si作为衬底，该衬底上设有一SiO2绝缘层、碳纳米管、栅极和电极；其特征在于：所述的栅极位于Si衬底上SiO2绝缘层中的一条沟槽之中，其内沉积Al及经表面氧化形成的Al2O3绝缘层，栅极并与一电阻相连接，该电阻与恒压源相连接；所述的电极包括两个独立的电极，两电极平行于栅极设置在栅极的两侧，位于碳纳米管之上或之下，其第二电极还带有一条方向与栅极垂直的一段，该段与栅极相接触，其中第一电极接地，第二电极与开关相连接，同时栅极与第二电极在衬底上短路相连；一根碳纳米管垂直于栅极和两个独立的电极，平直放置在SiO2绝缘层的表面上，并与Al2O3绝缘层表面和电极表面相接触。