[发明专利]半导体封装方法有效
申请号: | 02123193.1 | 申请日: | 2002-06-28 |
公开(公告)号: | CN1466178A | 公开(公告)日: | 2004-01-07 |
发明(设计)人: | 何宗达;黄建屏;萧承旭 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人: | 刘激扬 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种半导体封装方法,在芯片其第一表面与芯片承载件粘置并与的电性连接后,于芯片承载件上粘接并敷镀有与形成封装胶体的封装化合物及芯片间具不良黏结性的接口层的覆接片模板,使覆接片模板得以接口层承接于芯片上对应第一表面的第二表面上的方式覆接于芯片上进行模压,植球,切单,与加热等作业,于此等作业完成后,得顺利将接口层,覆接片,及形成于覆接片上方的封装胶体一并去除,而不会造成芯片的第二表面产生溢胶,并得确保芯片于模压作业中不会因为受到压迫而造成裂损的问题。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体封装方法,其特征在于,该方法包括下列步骤:准备一芯片承载件;于该芯片承载件的第二表面上的预设位置处接置并电性连接至少一芯片的第一表面;准备一大小足以完全遮覆住封装件外型线的覆接片模板,该覆接片模板的第一表面上敷设有与形成封装胶体的封装化合物及该芯片间具有不良粘接性的接口层;将该覆接片模板第一表面上的该接口层承接于该芯片上对应第一表面的第二表面上部的方式覆接于该芯片上;进行模压作业;进行植球作业;进行切单作业;对各切单后的半成品加热;以及将该接口层,覆接片,及形成于该覆接片的第二表面上的封装胶体一并自该芯片的第二表面及形成于该芯片周围的该封装胶体的表面上去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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