[发明专利]化合物半导体制造用的水平反应炉

摘要

本发明涉及可以形成大面积均匀薄膜的化合物半导体制造用水平反应炉。在化合物半导体制造用水平反应炉中,含有密闭的容器形状的反应炉外壳和具有几个容纳基板的基板容纳部分的上面,所述上面包括位于上述反应炉外壳内部的接受器、接受器加热装置、从该接受器的中央下部供给V族气体的V族气体供应装置、向着上述接受器上面的中央,从上部供给III族原料及输送气体的III族原料及输送气体供应装置以及把反应炉内的反应气排出反应炉外部的反应气排出装置。

主权项

1.一种水平反应炉，其特征是，在化合物半导体制造用水平反应炉中，具有：密闭的容器形状的反应炉外壳；位于上述反应炉外壳内部的接受器，该接受器上面具有多个容纳基板的基板容纳部分；接受器加热装置；从上述接受器的中央下部供给V族气体的V族气体供应装置；向着上述接受器上面的中央，从上部供给III族原料及输送气体的III族原料及输送气体供应装置以及把反应炉内的反应气排出反应炉外部的反应气排出装置。