[发明专利]化合物半导体制造用的水平反应炉

权利要求书

1.一种水平反应炉，其特征是，在化合物半导体制造用水平反应炉中，具有：

密闭的容器形状的反应炉外壳；

位于上述反应炉外壳内部的接受器，该接受器上面具有多个容纳基板的基板容纳部分；

接受器加热装置；

从上述接受器的中央下部供给V族气体的V族气体供应装置；

向着上述接受器上面的中央，从上部供给III族原料及输送气体的III族原料及输送气体供应装置以及

把反应炉内的反应气排出反应炉外部的反应气排出装置。

2.权利要求1中所述的水平反应炉，其特征是，上述III族原料及输送气体的供应装置的出口是对应于上述V族气体供应装置的出口而形成的。

3.权利要求1或2中所述的水平反应炉，其特征是，还可以含有V族气体流动导向部分，其在上述V族气体供应装置的出口上部形成，并把通过上述出口供给的V族气体流动导向至半径方向的外侧。

4.权利要求1或2中所述的水平反应炉，其特征是，还可以含有III族原料及输送气体流动导向部分，其与上述III族原料及输送气体供应装置出口隔离而形成，通过上述出口把供给的III族原料及输送气体的流动导向至半径方向的外侧。

5.权利要求4中所述的水平反应炉，其特征是，上述III族原料及输送气体流动导向部分的顶点是向着上侧形成的圆锥形。

6.权利要求1或2中所述的水平反应炉，其特征是，上述反应炉外壳的上板，从其中心愈往半径方向的外侧，高度愈向低方面倾斜。

7.权利要求1或2中所述的水平反应炉，其特征是，还含有把V族气体到达基板前进行加热的V族气体加热装置。

8.权利要求1或2中所述的水平反应炉，其特征是，还含有使上述接受器旋转的接受器旋转装置。

9.权利要求1或2中所述的水平反应炉，其特征是，把上述III族原料及输送气体和上述V族气体，在到达上述基板前进行混合而成反应气体。