[发明专利]半导体集成电路器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法，在半导体衬底(1)的表面形成了硅氧化膜(9)后，用氟酸水溶液除去形成实效膜厚薄的栅极绝缘膜的区域的硅氧化膜(9)，然后，在半导体衬底(1)上形成高介电常数绝缘膜(10)，从而在半导体衬底(1)上形成包括高介电常数绝缘膜(10)和硅氧化膜(9)的叠层膜的栅极绝缘膜(12)、以及包括高介电常数绝缘膜(10)的栅极绝缘膜(11)的2种栅极绝缘膜。

主权项

1.一种半导体集成电路器件，其特征在于：具有半导体衬底；第1MIS晶体管，具有在上述半导体衬底内形成的一对第1半导体区域，以及在上述一对第1半导体区域之间的区域的、上述半导体衬底上中间隔着第1栅极绝缘膜形成的第1导体片；第2MIS晶体管，具有在上述半导体衬底内形成的一对第2半导体区域，以及在上述一对第2半导体区域之间的区域的、上述半导体衬底上中间隔着第2栅极绝缘膜形成的第2导体片；上述第1栅极绝缘膜的厚度比上述第2栅极绝缘膜的厚度大，上述第1栅极绝缘膜包括位于上述半导体衬底上的第1绝缘膜和位于上述第1绝缘膜上的第2绝缘膜，上述第2栅极绝缘膜包括位于上述半导体衬底上的第3绝缘膜，上述第2和第3绝缘膜的相对介电常数比上述第1绝缘膜的相对介电常数大。