[发明专利]半导体光检测器的制作方法

摘要

本发明的半导体光检测器的制作方法的特点是，在砷化镓衬底上形成含有光吸收层(4)的多层膜(2－7)。使该砷化镓衬底(1)与玻璃衬底(8)重叠，而使多层膜的最表面膜(7)与玻璃衬底(8)相互接触后，向砷化镓衬底(1)和玻璃衬底(8)之间加压并同时加热，使两衬底(1)、(8)融接。然后，通过蚀刻先除去砷化镓衬底(1)和缓冲层(2)，接着除去蚀刻停止层(3)。然后，形成与光吸收层(4)相连接并相互隔开的梳状肖特基电极(10)、(11)。

主权项

1.一种具有通过吸收入射光来激发电子和空穴的光吸收层的半导体光检测器的制作方法，其特征在于：在衬底上形成包含上述光吸收层的多层膜，为了使上述多层膜的最表面膜与由对入射光透明的材料构成的透明衬底的一个面相接触，而使形成了上述多层膜的上述衬底与上述透明衬底相粘接，除去粘接在上述透明衬底上的上述衬底或上述衬底和上述多层膜的一部分层，以使上述透明衬底上至少残留上述光吸收层，在上述透明衬底上残留的多层膜上，形成相互隔开的两个电极。