[发明专利]在Ⅲ－V族氮化物半导体基板上制作产生辐射的半导体芯片的方法以及产生辐射的半导体芯片有效
| 申请号： | 01818140.6 | 申请日： | 2001-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1471735A | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | S·巴德尔;M·费雷尔;B·哈恩;V·海勒;H·J·卢高尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 苏娟;赵辛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在III－V族氮化物半导体材料的基板制作具有一个薄膜元件(11)的产生辐射的半导体芯片的方法，首先在外延衬底(100)上淀积薄膜元件(11)，该薄膜元件与一个载体(5)连接，然后从该薄膜元件去掉外延衬底(100)。外延衬底(100)具有一个用多晶SiC或多晶GaN或用SiC、GaN或蓝宝石制成的衬底本体(1)，该衬底本体借助于一层粘附层(3)与一层生长层(2)连接，并在该生长层上用外延法淀积薄膜元件(11)的层序列。此外，描述了一个这样制作的产生辐射的半导体芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 基板上 制作 产生 辐射 芯片 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.在III-V族氮化物半导体材料的基板上制作具有一个薄膜元件(11)的产生辐射的半导体芯片的方法，其步骤是：-在一个外延衬底(100)上淀积薄膜元件(11)的一个层序列；-将该薄膜元件与一个载体(5)连接；-从该薄膜元件去掉外延衬底(100)，其特征为：-外延衬底(100)具有一个用多晶SiC或多晶GaN制成的衬底本体(1)，该衬底本体借助于一层粘附层(3)与一层生长层(2)连接；-在生长层(2)上用外延法淀积薄膜元件(11)的层序列。
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