[发明专利]功率金属氧化物半导体场效晶体管中的配置有效
| 申请号： | 01812925.0 | 申请日： | 2001-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN1443371A | 公开（公告）日： | 2003-09-17 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·莫乐;尼尔斯·阿福·依肯司坦;真·乔汉森;提摩西·八拉;盖瑞·罗皮斯;迈克尔·比德尼 | 申请（专利权）人： | LM艾瑞克生电话公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊,程伟 |
| 地址： | 瑞典斯德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种包含多个并联连接晶体管区段的功率金属氧化物半导体场效晶体管的线性和/或效率，是通过至少一组该晶体管区段所具有跟其余晶体管区段不同的临限电压而有所改善。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 金属 氧化物 半导体 晶体管 中的 配置 | ||
【主权项】：
1.一种用以改善功率金属氧化物半导体场效晶体管的线性和/或效率的配置(arrangement)，包含多个并联连接晶体管区段，其特征在于：至少一组该晶体管区段具有跟其余的晶体管区段不同的临限电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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