[发明专利]具有快速瞬态响应的限流开关有效
申请号: | 01804807.2 | 申请日: | 2001-02-06 |
公开(公告)号: | CN1398454A | 公开(公告)日: | 2003-02-19 |
发明(设计)人: | 凯文·P·丹吉洛 | 申请(专利权)人: | 先进模拟科技公司 |
主分类号: | H03K17/082 | 分类号: | H03K17/082;G05F3/26 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 邵亚丽,马莹 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种限流开关包括并联连接的引导电路和功率MOSFET以及一个包括串联连接的多个并联电路的参考电路,每个并联电路包括与一电阻并联连接的电路镜像MOSFET。电流镜像补偿电路包括当流经功率MOSFET的电流增加时顺序短路所述并联电路的电路,从而限制了流经功率MOSFET的电流的大小。在优选实施例中,第二MOSFET被用于取代每个并联电路中的电阻。 | ||
搜索关键词: | 具有 快速 瞬态 响应 限流 开关 | ||
【主权项】:
1.一种限流开关包括:功率MOSFET;引导电路,与所述功率MOSFET并联的,在该引导电路中将一引导MOSFET和一引导电阻相连;参考电路,包括电流源和电流镜像电路,该电流镜像电路包括第一和第二并联电路,每一个并联电路包括与一电阻并联连接的电流镜像MOSFET,第一和第二并联电路以串联的方式连接;差分放大器,该差分放大器具有连接至引导电路中的一个点的第一输入端以及连接至参考电路中的一个点的第二输入端,并且具有连接至所述功率MOSFET的栅极的输出端;以及电流镜像补偿电路,包括第一旁路开关,用于当所述功率MOSFET的一个端子处的电压达到第一电平时,绕过第一并联电路而形成短路。
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