[发明专利]在半导体衬底上化学汽相淀积钨的方法无效
| 申请号： | 01144080.5 | 申请日： | 2001-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1366334A | 公开（公告）日： | 2002-08-28 |
| 发明（设计）人： | 汉斯·维尔卡门;约里斯·巴伊勒 | 申请（专利权）人： | 阿尔卡塔尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;C23C16/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在半导体衬底(1)上化学汽相淀积钨的方法,包括下列步骤把上述衬底定位在淀积室(2)中;加热上述衬底(1),以及通把使衬底(1)与流经淀积室(2)的气体混合物接触,在低压下把钨淀积在衬底(1)上,上述气体混合物包括六氟化钨(WF6)、氢气(H2)和至少一种载气,其特征在于上述气体混合物还包括硅烷(SiH4),且WF6/SiH4的流量比为2.5～6,WF6的流量为30～60sccm,且淀积室内的压力保持在0.13～5.33kPa(1～40乇)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 化学 汽相淀积钨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体衬底(1)上化学汽相淀积钨的方法，包括下列步骤：把上述衬底定位在淀积室(2)中；加热上述衬底(1)，以及通把使衬底(1)与流经淀积室(2)的气体混合物接触，在低压下把钨淀积在衬底(1)上，上述气体混合物包括六氟化钨(WF6)、氢气(H2)和至少一种载气，其特征在于：上述气体混合物还包括硅烷(SiH4)，且WF6/SiH4的流量比为2.5～6，WF6的流量为30～60sccm，且淀积室内的压力保持在0.13～5.33kPa(1～40乇)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
