[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置

摘要

通过向半导体衬底短时间照射大量的光子,改进与半导体衬底和布线相连的接触层、硅化物层和氮化硅膜等的在半导体衬底上形成的膜。在形成微细接触层时,把在接触孔内部形成金属氮化膜的工序、在600℃以下的温区内实施第一加热处理的工序、和在实施第一加热处理时的以10毫秒以下的短时间且具有以比硅的光吸收端还短的波长侧为主的发光波长的第二加热处理相组合,使TiN膜与基板界面起反应,还原自然氧化膜。短时间的热处理不会影响扩散层的杂质分布。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：在形成半导体元件的、表面上形成有硅化物层的半导体衬底上形成绝缘膜的工序；蚀刻上述绝缘膜，形成在底面上露出在上述半导体衬底表面上形成的上述硅化物层的接触孔的工序；在上述接触孔的底面和侧面上形成金属氮化膜的工序；对上述半导体衬底实施600℃以下温度的第一加热处理的工序；在上述第一加热处理工序中，以10毫秒以下的短时间并用具有以比硅的光吸收端还短的波长侧为主的发光波长的光进行第二加热处理的工序；在进行上述第二加热处理的工序后，形成上述接触孔的接触布线的工序；以及在上述绝缘膜上形成借助于上述接触布线与上述半导体衬底电气连接的布线的工序。