[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：

在形成半导体元件的、表面上形成有硅化物层的半导体衬底上形成绝缘膜的工序；

蚀刻上述绝缘膜，形成在底面上露出在上述半导体衬底表面上形成的上述硅化物层的接触孔的工序；

在上述接触孔的底面和侧面上形成金属氮化膜的工序；

对上述半导体衬底实施600℃以下温度的第一加热处理的工序；

在上述第一加热处理工序中，以10毫秒以下的短时间并用具有以比硅的光吸收端还短的波长侧为主的发光波长的光进行第二加热处理的工序；

在进行上述第二加热处理的工序后，形成上述接触孔的接触布线的工序；以及

在上述绝缘膜上形成借助于上述接触布线与上述半导体衬底电气连接的布线的工序。

2.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：

在形成半导体元件的、表面上形成有硅化物层的半导体衬底上形成绝缘膜的工序；

蚀刻上述绝缘膜、形成在底面上露出在上述半导体衬底表面上形成的上述硅化物层的接触孔的工序；

在上述接触孔的底面和侧面上形成金属氮化膜的工序；

对上述半导体衬底实施600℃以下温度的第一加热处理的工序；

在上述第一加热处理工序中，以10毫秒以下的短时间并用具有以使上述金属氮化膜中含的金属的反射率为0.50以下的波长为主的发光波长的光进行第二加热处理的工序；

在进行上述第二加热处理的工序后，形成上述接触孔的接触布线的工序；以及

在上述绝缘膜上形成借助于上述接触布线与上述半导体衬底电气连接的布线的工序。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：上述金属氮化膜是从钛、钽、铌、钒、铪、锆中选出的至少一种金属的氮化膜。

4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：上述金属氮化膜含有金属卤化物。

5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：

以覆盖在硅半导体衬底表面区域上形成的源/漏区和该源/漏区之间上夹着栅绝缘膜形成的多晶硅栅极的方式，在上述半导体衬底上形成金属膜的工序；

对上述半导体衬底实施第一加热处理，使上述源/漏区上和上述栅极上的金属膜变成一硅化物层的工序；

除去上述金属膜中的未反应部分的工序；

在600℃以下的温度下对上述半导体衬底实施第二加热处理的工序；以及

在实施第一加热处理的工序中，以10毫秒以下的短时间并用具有以比硅的光吸收端更短的波长侧为主的发光波长的光进行第三加热处理，使上述一硅化物层变成金属硅化物层的工序。

6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：上述金属膜是从钴、钛、镍、铪、锆、钯、铂中选出的至少一种材料。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：

在半导体衬底上形成栅绝缘膜的工序；

在上述栅绝缘膜上形成多晶硅膜的工序；

向该多晶硅膜掺入杂质的工序；

在上述多晶硅膜上形成氮化硅膜的工序；

把上述半导体衬底加热到300～650℃的工序；

在上述加热过程中，以10～100J/cm²的能量和10毫秒以内的时间照射波长200nm以上的白色光至少一次的工序；以及

对上述多晶硅膜和上述氮化硅膜构图，形成由覆盖上述氮化硅膜的上述多晶硅膜构成的栅极的工序。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：上述氮化硅膜是借助于二氯甲硅烷或六氯甲硅烷与氨的反应通过CVD法形成的。