[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 01117410.2 | 申请日： | 2001-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1366349A | 公开（公告）日： | 2002-08-28 |
| 发明（设计）人： | 菊地修一;西部荣次;铃木琢也 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题是谋求工作耐压的提高。特征在于,具备N+型源区9,与栅电极7的一端邻接;N－－型漏区5A和与该漏区5A相连地形成的N－型漏区5B,在上述第1栅绝缘膜4下至少在上述衬底内的规定深度的位置上具有杂质浓度峰值,在接近于衬底表面的区域中杂质浓度变低;N+型漏区10,离开上述栅电极7的另一端且被包含在上述N－型漏区5B中以及N型层11,从上述第1栅绝缘膜4的一个端部起横跨上述N+型漏区10间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：在一种导电型的半导体衬底上形成的第1和第2栅绝缘膜上延伸地形成的栅电极；与上述栅电极的一端邻接的反导电型源区；第1浓度的反导电型漏区和与该漏区相连地形成的第2浓度的反导电型漏区，经上述沟道区与上述源区相对，而且在上述第1栅绝缘膜下、至少在上述衬底内的规定深度的位置上具有杂质浓度峰值，在接近于衬底表面的区域中杂质浓度变低；以及第3浓度的反导电型漏区，离开上述栅电极的另一端且包含在上述第2浓度的反导电型漏区内。
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