[发明专利]电力半导体装置

摘要

提供在电力MOSFET的栅极电位变成为不固定状态的情况下，可以防止电力MOSFET热破坏的电力半导体装置。具有：电力MOSFET11；在电力MSFET11的漏极与源极之间串联连接的电阻R1和齐纳二极管14；连接在电力MOSFET11的栅极与源极之间的电阻R2；串联连接在电力MOSFET11的栅极与源极之间的电阻R3和MOS晶体管15，电阻R1和齐纳二极管14之间的连接点连接到MOS晶体管15的栅极上。

主权项

1.一种电力半导体装置，其特征是具备：在半导体衬底上边形成，具有栅极、源极和漏极的电压驱动式的电力金属氧化物半导体场效应晶体管；在上述半导体衬底上边形成，可以向其两端供给上述电力金属氧化物半导体场效应晶体管的上述漏极和上述源极之间的电压的串联连接的第1电阻和齐纳二极管；在上述半导体衬底上边形成，可以向其两端供给上述电力金属氧化物半导体场效应晶体管的上述栅极和上述源极之间的电压的第2电阻；在上述半导体衬底上边形成，可以向其两端供给上述电力金属氧化物半导体场效应晶体管的上述栅极和上述源极之间的电压的串联连接的第3电阻和具有栅极、源极和漏极的金属氧化物半导体晶体管，上述第1电阻和齐纳二极管之间的连接点被连接到上述金属氧化物半导体晶体管的栅极上。