[发明专利]半导体集成电路无效
申请号: | 01111697.8 | 申请日: | 2001-03-26 |
公开(公告)号: | CN1162909C | 公开(公告)日: | 2004-08-18 |
发明(设计)人: | 亀山敦;布施常明;吉田雅子 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H03K19/094 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种半导体集成电路具有在约0.5V小电源电压下工作的逻辑电路,其中,即使电路特性随制造工艺条件而改变,逻辑电路的电路噪声容限也能设定在较大值。在工作时间期间能保证满意的速度,并且能降低在空闲时间期间的功率消耗。这通过控制逻辑电路形成在其中的第一、第二导电类型阱的单个电位而实现。为此,设置有控制阱电压的两个电压供给电路和逻辑阈电压发生器。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路,包括:半导体衬底,它具有第一导电类型的第一阱、第一导电类型的第二阱、第二导电类型的第一阱和第二导电类型的第二阱;第一、第二、第三和第四电源线,输出电压V1、V2、V3和V4的第一、第二、第三和第四电源分别连接到电源线,其中V1>V2>V3>V4;互补金属绝缘体半导体逻辑电路,其中互补金属绝缘体半导体逻辑电路的电源端连接到第二电源线和第三电源线,互补金属绝缘体半导体逻辑电路包括:形成在第一导电类型的第一阱中的第二导电沟道型金属绝缘体半导体场效应晶体管;和形成在第二导电类型的第一阱中的第一导电沟道型金属绝缘体半导体场效应晶体管;逻辑阈电压发生器,用于产生与互补金属绝缘体半导体逻辑电路的逻辑阈电压相对应的电压,具有形成在第一导电类型的第二阱中的第一电路元件和形成在第二导电类型的第二阱中的第二电路元件;用于供给第一电压V的第一电压供给电路,第一电压V满足V2>V>V3;第一差动放大电路,其中逻辑阈电压发生器的输出电压输入到放大电路的正输入端,以及第一电压V输入到放大电路的负输入端;以及用于供给第二电压Vx的第二电压供给电路,其中差动放大电路的输出端连接到第一导电类型的第一和第二阱;并且第二电压Vx供给第二导电类型的第一和第二阱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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