[发明专利]具有薄膜的堆叠半导体及薄膜制造方法无效
| 申请号： | 01104224.9 | 申请日： | 2001-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN1372310A | 公开（公告）日： | 2002-10-02 |
| 发明（设计）人： | 蔡孟儒;彭镇滨;叶乃华;吴志成;王志峰;李文赞 | 申请（专利权）人： | 胜开科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L25/04;H01L23/12;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘领弟 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有薄膜的堆叠半导体及薄膜制造方法。为提供一种电传递性能好、制造方便、成本低的堆叠半导体及其辅助材料的制造方法,提出本发明,其薄膜制造方法包括制作设有镂空区域的框架、固定第一覆盖层、于框架的镂空区域设置薄膜及将薄膜切割成薄膜片;其具有薄膜的堆叠半导体包括基板、上表面中央形成焊垫的下层半导体晶片、复数条导线、堆叠于下层半导体晶片上表面的上层半导体晶片及黏设于下层半导体晶片上表面两侧两薄膜片。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 薄膜 堆叠 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜制造方法，其特征在于它包括下列步骤：制作框架制作成具有上表面、下表面及于中间设有镂空区域的框架；固定第一覆盖层将第一覆盖层固定于框架的下表面上，以将框架的镂空区域底部覆盖住；设置薄膜将待切割的薄膜设于框架的镂空区域内，并附著于第一覆盖层上；切割薄膜以切割刀具将薄膜切割成适当尺寸的薄膜片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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