[发明专利]具有薄膜的堆叠半导体及薄膜制造方法

说明书

本发明属于堆叠半导体及其辅助材料的制造方法，特别是一种具有薄膜的堆叠半导体及薄膜制造方法。

在科技的领域，各项科技产品皆以轻、薄、短小为开发宗旨。因此，对于积体电路的体积系越小越理想，更可符合产品的需求。而以往积体电路即使体积再小，亦只能并列式地电连接于电路板上，而在有限的电路板面积上，并无法将积体电路的容置数量有效地提升，致使产品达到更为轻、薄、短小的宗旨，将有其困难之处。

因此，将若干个半导体晶片予以叠合使用，可达到轻、薄、短小的宗旨。然而，将若干个半导体晶片叠合时，上层半导体晶片将会压到下层半导体晶片的导线，使该导线与下层半导体晶片表面形成电性接触，以致将影响到下层半导体晶片的讯号传递。

如图1所示，习知的堆叠半导体晶片组包括有基板10、下层半导体晶片12、上层半导体晶片14、复数条导线16及隔离层18。下层半导体晶片12系设于基板10上，上层半导体晶片14系藉由隔离层18叠合于下层半导体晶片12上方，使下层半导体晶片12与上层半导体晶片14形成适当之间距20，如此，复数条导线16即可电连接于下层半导体晶片12边缘，上层半导体晶片14叠合于下层半导体晶片12上时，不致于压损复数条导线16或使复数条导线16与下层半导体晶片12形成短路。

然而，此种结构在制造上必须先制作隔离层18，再将其黏著于下层半导体晶片12上，而后再将上层半导体晶片14黏著于隔离层18上，故，其制造程序较为复杂，生产成本较高。

再者，若下层半导体晶片12的焊垫形成于中央部位时，则并无法以上述的方法实施堆叠。

如图2所示，当焊垫22形成于下层半导体晶片23的中央部位时，上层半导体晶片24将会压到导线25，使导线25接触到下层半导体晶片23边缘，以致造成电讯的传递不佳或短路的现象。

本发明的目的是提供一种电传递性能好、制造方便、成本低的具有薄膜的堆叠半导体及薄膜制造方法。

本发明薄膜制造方法，它包括下列步骤：

制作框架

制作成具有上表面、下表面及于中间设有镂空区域的框架；

固定第一覆盖层

将第一覆盖层固定于框架的下表面上，以将框架的镂空区域底部覆盖住；

设置薄膜

将待切割的薄膜设于框架的镂空区域内，并附著于第一覆盖层上；

切割薄膜

以切割刀具将薄膜切割成适当尺寸的薄膜片。

本发明具有薄膜的堆叠半导体，它包括基板、具有上、下表面的下层半导体晶片、复数条导线、上层半导体晶片及两薄膜片；基板具有分别形成讯号输入、输出端的第一、二表面；下层半导体晶片具有固定于基板第一表面的下表面及中央部位形成若干焊垫的上表面；复数条导线两端分别连接于下层半导体晶片焊垫及基板第一表面的讯号输入端；上层半导体晶片置于下层半导体晶片上表面并与其呈堆叠状；两薄膜片位于上、下层半导体晶片之间，并黏设于下层半导体晶片上表面两侧。

其中：

薄膜黏设于第一覆盖层上。

切割薄膜步骤中仅将薄膜切割至适深度，而第一覆盖层则未被切割，以使切割后的薄膜仍整体黏著于第一覆盖层上。

切割薄膜前尚包括固定第二覆盖层，将第二覆盖层固定于框架上表面，以将镂空区域的上表面覆盖住，使位于镂空区域内的薄膜被第一覆盖层及第二覆盖层包覆住。

薄膜黏设于第一覆盖层上的一面设有黏著剂。

薄膜被第二覆盖层包覆的一面设有藉以黏著于第二覆盖层上的黏著剂。

下层半导体晶片焊垫处涂敷有将上层半导体晶片黏著固定于下层半导体晶片上的黏著剂。

上层半导体晶片与基板第一表面讯号输入端之间电连接有复数条导线。

基板第一表面上设有包覆上、下层半导体晶片及复数条导线的封装层。