[发明专利]半导体存储器芯片组件有效
| 申请号： | 00809436.5 | 申请日： | 2000-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN1358315A | 公开（公告）日： | 2002-07-10 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·格拉斯 | 申请（专利权）人： | 德国捷德有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹,邵亚丽 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于一智能卡的半导体存储器芯片组件(2′),其中非易失性存储器芯片(EEPROM)(4)和易失性存储器芯片(SRAM)(6)被叠层在相互的顶部并且通过垂直芯片互接(16)相互直接耦合。该具有快速存取能力的易失性存储器能够快速执行程序。通过将数据再传送到该非易失性存储器中而可以永久和安全的存储数据。具有解码器电路的芯片(8)可被包括在另一级层中。缓冲电容(20)被结合在一芯片并且在工作期间被持续再充电到恒定的电源电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 芯片 组件 | ||
【主权项】：
1.一种具有第一类型的第一存储器芯片(4)、第二类型的第二存储器芯片(6)和在第一和第二存储器芯片之间的电连接(14，16)的半导体存储器芯片组件，其特征是该存储器芯片(4，6)以不同级层将一个安置在另一个之上，并且通过垂直芯片互连(14，16)而连接。
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