[发明专利]用于生产半导体p,p+和n,n+区的掺杂糊剂无效
| 申请号： | 00804875.4 | 申请日： | 2000-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN1343376A | 公开（公告）日： | 2002-04-03 |
| 发明（设计）人： | A·库贝尔贝克;C·杰琳斯基;L·海德;W·斯托库姆 | 申请（专利权）人： | 默克专利股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/0288;H01L21/033;H01L21/312;H01L21/316 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜京英 |
| 地址： | 德国达*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及用于生产单晶和多晶Si片的p,p+和n,n+区的新型硼、磷或硼－铝基掺杂糊剂,本发明进一步涉及使用相应的糊剂作为掩模糊剂在半导体的生产、功率电子元件或光电器件方面的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生产 半导体 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种通过丝网、辊筒、凹版移印、模版印刷或半导体技术中惯常使用的其它印刷技术选择性和广泛印刷Si片用来在Si片中生产p，p+，p++，n，n+，n++区的掺杂糊剂，它包含：a)一种或多种具有掺杂作用的组分，b)SiO2基质，c)溶剂，d)任选的酸和水，以及任选的e)添加剂如增稠剂或湿润剂，全部组合物中含有的金属离子形式杂质的相应浓度低于500ppb，优选低于200ppb。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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