[发明专利]具有导电层的半导体装置和液晶显示装置有效
| 申请号： | 00135569.4 | 申请日： | 2000-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1144088C | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 久保田健;村井一郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社;精工爱普生股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 薄膜场效应晶体管的阈值电压稳定且提高了电容的耐久性和可靠性的半导体装置、液晶显示装置，具备衬底(1)和半导体层(5、7)和电介质膜(35)。半导体层(5、7)包括在衬底(1)上边形成的薄膜场效应晶体管(17、18)的沟道区(5、7)。导电层(3)与在衬底(1)上边形成的半导体层(5、7)用同一层构成。电介质膜(35)在导电层(3)上边形成。沟道区(5、7)内的导电性杂质浓度在1016原子/cm3以下。电介质膜(35)中的导电性杂质浓度在1017原子/cm3以下。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 导电 半导体 装置 液晶 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种具备薄膜场效应晶体管和导电层的半导体装置，具备：衬底：含有在上述衬底上边形成的薄膜场效应晶体管的沟道区的半导体膜；在上述衬底上边形成且与半导体膜用同一层构成的上述导电层；在上述导电层上边形成的电介质膜，上述沟道区内的导电性杂质浓度在1016原子/cm3以下，上述电介质膜中的导电性杂质浓度在1017原子/cm3以下。
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