[发明专利]金属氧化物半导体场效应管半导体器件有效
| 申请号： | 00133781.5 | 申请日： | 2000-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1305231A | 公开（公告）日： | 2001-07-25 |
| 发明（设计）人： | 小山内润 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇,傅康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开一种以低成本和短的制造周转时间提供耐压性高而电阻低的功率MOSFET半导体器件。在平面型功率MOSFET中,制造方法包括在漂移层中形成沟槽,并在沟槽的侧壁和底部形成体扩散层(形成沟槽并随后进行扩散)以获得一种结构。深体扩散形成对获得高耐压性和低电阻是有效的,但是为了获得该结构,一般要进行多次深体区域的外延生长和选择性形成,致使制造工序增多、成本激增和制造周期延长。但是,本结构可以更简单地带来类似的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 半导体器件 | ||
【主权项】：
1．一种半导体器件，它包括：高密度某一导电类型的半导体基片；在所述半导体基片的表面层上形成的低密度某一导电类型的半导体层；在所述低密度的半导体层中从表面选择性地形成的沟槽；在所述沟槽的侧壁和底部形成的低密度相反导电类型的半导体扩散层；与所述相反导电类型的半导体扩散层部分重叠并选择性地在所述低密度某一导电类型的半导体的表面层上形成的相对较浅的相反导电类型的半导体扩散层；选择性地在所述相对较浅的低密度的相反导电类型的半导体扩散层中形成的高密度某一导电类型的半导体扩散层；在所述低密度某一导电类型的半导体层和所述相对较浅的低密度的相反导电类型的半导体扩散层上形成的栅极绝缘膜；以及在所述栅极绝缘膜上选择性地形成的栅极。
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