[发明专利]互补式金属氧化物半导体的制造方法

摘要

一种具有低掺杂漏极结构的互补式金属氧化物半导体的制造方法,其在栅极侧壁未形成间隙壁的情形下,形成覆满基底的一扩散层。接着于NMOS有源区上的扩散层中掺杂一n型离子,并于PMOS有源区上的扩散层中掺杂一p型离子。接下来进行一退火步骤,以使扩散层中的p型(n型)离子扩散进入栅极两侧的n型(p型)掺杂井中,而形成深度甚浅的p型(n型)低掺杂漏极。根据本发明,可以避免短通道效应。

主权项

1.一种具有低掺杂漏极结构的互补式金属氧化物半导体的制造方法，包括下列步骤：首先提供一基底，该基底中已形成有一p型掺杂井、一n型掺杂井与多个隔离层，这些隔离层定义出该p型掺杂井上方的一NMOS有源区与该n型掺杂井上方的一PMOS有源区，其中该NMOS有源区上形成有一第一栅极，且该PMOS有源区上形成有一第二栅极；形成覆满该基底的一扩散层；于该NMOS有源区上方的该扩散层中掺入一n型离子；于该PMOS有源区上方的该扩散层中掺入一p型离子；进行一退火步骤，以使该PMOS有源区上方的该扩散层中的该p型离子扩散进入该第一栅极两侧的该nx型掺杂井中，同时使该NMOS有源区上方的扩散层中的该n型离子扩散进入该第二栅极两侧的该p型掺杂井中，而分别形成一p型低掺杂漏极与一n型低掺杂漏极；于该第一栅极的侧壁形成一第一间隙壁，同时于该第二栅极的侧壁形成一第二间隙壁；于该第一间隙壁两侧的该n型掺杂井中形成一p型源极/漏极区；于该第二间隙壁两侧的该p型掺杂井中形成一n型源极/漏极区；以及进行一源极/漏极退火步骤。